退火对用PLD法制备ZnO薄膜的发光影响
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上传人：魏显起,王勇杰,张仲 上传时间： 2011-09-06 浏览次数： 201 |
| 作者 | 魏显起,王勇杰,张仲 |
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| 单位 | 济南大学物理科学学院 |
| 分类号 | O484.41 |
| 发表刊物 | 红外与毫米波学报 |
| 发布时间 | 2011年03期 |
ZnO是一种直接和宽带隙(在室温下为3.37eV)半导体材料,在常温下的激子束缚能为60meV.在各类电子和短波光学器件方面有广泛的应用,特别在制备低激发能激光方面具有很大的优越性[1～3],是近几年国内外研究的热点.为了制备性能良好的器件,首先要制备高质量、低缺陷浓度的……
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