Cu掺杂ZnO薄膜的光学性质
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上传人：曲盛薇,唐鑫,吕海峰,刘明,张庆瑜 上传时间： 2011-09-16 浏览次数： 74 |
| 作者 | 曲盛薇,唐鑫,吕海峰,刘明,张庆瑜 |
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| 单位 | 大连理工大学三束材料改性重点实验室,中国科学院计算机网络信息中心 |
| 分类号 | O484.41 |
| 发表刊物 | 发光学报 |
| 发布时间 | 2010年02期 |
引言
氧化锌(ZnO)具有纤锌矿晶体结构,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,可以实现室温下的激子发射。作为新一代宽禁带半导体材料,ZnO以其优异的光电性能,在发光二极管、光探测器、电致荧光器件、透明导电薄膜、气敏传感器等诸多领域有着广泛的应用[1～3]。自从1998年……
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