蓝宝石衬底上磁控溅射法室温制备外延ZnO薄膜
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上传人：周阳,仇满德等 上传时间： 2011-09-05 浏览次数： 57 |
| 作者 | 周阳,仇满德,付跃举,邢金柱,霍骥川,彭英才,刘保亭 |
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| 单位 | 河北大学物理科学与技术学院,河北大学化学与环境科学学院,河北大学电子信息工程学院 |
| 分类号 | O484.1 |
| 发表刊物 | 人工晶体学报 |
| 发布时间 | 2009年01期 |
引言
ZnO是直接带隙宽禁带II-VI族半导体材料(a=0.3249 nm,c=0.5207 nm),具有六角纤锌矿晶体结构。室温下的禁带宽度约为3.37 eV,与同类半导体GaN、ZnS相比,ZnO具有更高的自由激子结合能,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下的激子发射。ZnO具有良好的光学、压电性能,掺杂后可……
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