Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜
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上传人：庄惠照,高海永,薛成山,王书运,董志华 上传时间： 2011-10-25 浏览次数： 82 |
| 作者 | 庄惠照,高海永,薛成山,王书运,董志华 |
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| 单位 | 山东师范大学物理与电子科学学院 |
| 分类号 | TN30423 |
| 发表刊物 | 微细加工技术 |
| 发布时间 | 2004年02期 |
引言
GaN是一种宽带隙ⅢⅤ族化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.4eV[1],对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围。GaN同时具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,在半导体工业中被誉为第三代半导体材料,在微电子、光电子等领域成为研究……
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