Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化
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上传人：熊贻婧,张萌,熊传兵,肖宗湖,王光绪,汪延明,江风益 上传时间： 2011-10-25 浏览次数： 154 |
| 作者 | 熊贻婧,张萌,熊传兵,肖宗湖,王光绪,汪延明,江风益 |
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| 单位 | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 |
| 分类号 | TN304.055 |
| 发表刊物 | 发光学报 |
| 发布时间 | 2010年04期 |
引言
GaN MQW LED已经广泛地应用于显示器件及照明光源,成为产业界和研究领域的热点之一[1～4]。目前商品化的GaN LED器件其外延衬底有三种:蓝宝石、碳化硅和硅衬底[5]。蓝宝石衬底上外延的GaN具有同侧结构和垂直结构两种器件结构[6,7];碳化硅衬底上外延的GaN有在外延衬底上……
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