蓝紫光InGaN多量子阱激光器
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上传人：李德尧,张书明等 上传时间： 2011-09-09 浏览次数： 262 |
| 作者 | 李德尧,张书明,王建峰,陈俊,陈良惠,种明,朱建军,赵德刚,刘宗顺,杨辉,梁骏吾 |
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| 单位 | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 |
| 分类号 | TN248 |
| 发表刊物 | 中国科学(E辑:技术科学) |
| 发布时间 | 2007年03期 |
自从第一台InGaN多量子阱激光器问世以来[1],由于其在高密度光信息存储、显示、激光打印和照明等领域潜在的应用前景而受到广泛关注.近几年,许多大学和公司纷纷集中力量研究GaN基光电子材料和器件,致使在诸如GaN外延膜生长、GaN的n型和p型掺杂、InGaN多量子阱生长[2,3],以及……
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