生长温度对InGaN/GaN多量子阱LED光学特性的影响
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上传人：朱丽虹，刘宝林，张保平 上传时间： 2011-04-25 浏览次数： 342 |
| 作者 | 朱丽虹，刘宝林，张保平 |
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| 单位 | 厦门大学物理系 |
| 分类号 | TN304 |
| 发表刊物 | 《半导体光电》 |
| 发布时间 | 2008年6月 |
1引言
目前蓝绿光发光二极管(LED)的制作技术已较为成熟[1~3],并且利用InGaN量子阱中载流子的局域化效应,高效率蓝光LED和LD已经成功实现商业化[4~6]。而紫光及紫外光LED由于生长技术方面的限制,尚存在一些问题:紫光及紫外光InGaN基LED要求In的含量比较低,对位错密度更敏感而不……
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