淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究
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上传人：邢艳辉,韩军,邓军,李建军,沈光地 上传时间： 2011-08-31 浏览次数： 67 |
| 作者 | 邢艳辉,韩军,邓军,李建军,沈光地 |
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| 单位 | 北京工业大学电子信息与控制工程学院 |
| 分类号 | TN304.05 |
| 发表刊物 | 物理学报 |
| 发布时间 | 2009年04期 |
引言
GaN,AlN和InN等氮化物半导体材料可用于制备发光二极管(LED)和半导体激光器,发光范围从紫外到红光[1,2].要制备这样的器件,控制杂质浓度,实现n型和p型掺杂是必须的,Mg作为受主的掺杂剂已有很多报道[3],Si用作施主掺杂剂或为提高有源区的发光效率而掺入InGaN层中[4].由……
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