衬底温度对Al_2O_3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响
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上传人：刘忠良,康朝阳,唐军,徐彭寿 上传时间： 2011-08-31 浏览次数： 62 |
| 作者 | 刘忠良,康朝阳,唐军,徐彭寿 |
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| 单位 | 淮北师范大学物理与电子信息学院,中国科学技术大学国家同步辐射实验室 |
| 分类号 | O484 |
| 发表刊物 | 硅酸盐学报 |
| 发布时间 | 2011年02期 |
SiC作为第三代宽带隙半导体材料,具有许多优异特性,在半导体器件中有着广泛的应用[1–4]。随着电子技术的发展,人们对大功率器件的要求越来越高。蓝宝石作为性能优良的绝缘材料,以其为衬底制作SiC半导体器件,不但能减小漏电容和增大功率,还能实现器件的高度集成。但是蓝宝石……
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