AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱
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上传人：陈练辉,范广涵,孟耀勇,刘桂强, 上传时间： 2011-08-16 浏览次数： 309 |
| 作者 | 陈练辉,范广涵,孟耀勇,刘桂强, |
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| 单位 | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,华南师范大学激光生命科学研究所 |
| 分类号 | O472.3 |
| 发表刊物 | 量子电子学报 |
| 发布时间 | 2004年06期 |
引言
四元合金材料AIGalnP具有较宽的直接带隙,并可与GaAS衬底晶格完全匹配,实现从绿光到红光各种波长的发光。相比于双异质结(DH),多量子阱(MQW)结构AIGalnP能产生更高的载流子密度,从而增加辐射复合效率;有效地缩短了发光区长度,从而减少材料对光子的自吸收[l];产生量子尺……
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