AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究
|
上传人：汪莱,王磊,任凡,赵维,王嘉星,胡健楠,张辰,郝智彪,罗毅 上传时间： 2011-08-30 浏览次数： 164 |
| 作者 | 汪莱,王磊,任凡,赵维,王嘉星,胡健楠,张辰,郝智彪,罗毅 |
|---|---|
| 单位 | 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,清华信息科学与技术国家实验室(筹) |
| 分类号 | TN304.2 |
| 发表刊物 | 物理学报 |
| 发布时间 | 2010年11期 |
引言
近年来,GaN基材料因其在蓝光发光器件和大功率电子器件上的应用而引起了广泛的研究兴趣[1—3].然而,GaN仍然面临缺乏实用的同质衬底的困扰.蓝宝石和SiC是生长GaN基发光二极管(LED)[4,5]和高电子迁移率晶体管(HEMT)[6,7]使用最普遍的衬底.和它们相比,AlN和GaN之间具有更……
最新评论
用户名： 密码：
