PLD方法制备的ZnO纳米柱结构及光学特性
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上传人：孙开通,胡礼中 上传时间： 2011-10-18 浏览次数： 79 |
| 作者 | 孙开通,胡礼中,于东麒,李娇,张贺秋,付强,陈希,王彬 |
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| 单位 | 大连理工大学物理与光电工程学院; |
| 分类号 | O484.1 |
| 发表刊物 | 发光学报 |
| 发布时间 | 2010年02期 |
引言
ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料,室温下带隙宽度Eg=3.37eV。与GaN具有相近的晶格常数和禁带宽度,但和GaN相比,ZnO具有更高的熔点、激子束缚能(60meV)[1]、受激发射阈值低[2]及原材料丰富和无毒无害等特点。近年来,ZnO材料在紫外和蓝色发光领域已经成为人们关注……
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