MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜
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上传人：周新翠,叶志镇等 上传时间： 2011-09-30 浏览次数： 77 |
| 作者 | 周新翠,叶志镇,陈福刚,徐伟中,缪燕,黄靖云,吕建国,朱丽萍,赵炳辉 |
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| 单位 | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
| 分类号 | TN304 |
| 发表刊物 | 半导体学报 |
| 发布时间 | 2006年01期 |
引言
近年来,由于ZnO在光电领域的巨大发展潜力而受到了人们的广泛关注.这是由于ZnO作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体具有许多优点,如室温禁带宽度大(3.37eV),激子束缚能(60meV)和激子增益(300cm-1)高,是实现紫外光电器件、发光二极管以及激光器最有潜力的半导体材料之一……
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