蓝宝石衬底分子束外延生长GaN薄膜的原位椭偏光谱分析
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上传人：苑进社,刘颖丹,潘德芳 上传时间： 2011-07-22 浏览次数： 215 |
| 作者 | 苑进社,刘颖丹,潘德芳 |
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| 单位 | 重庆师范大学物理学与信息技术学院光学工程重点实验室 |
| 分类号 | 未知 |
| 发表刊物 | 未知 |
| 发布时间 | 2010年 |
1 引 言
目前，GaN 半导体薄膜材料已成为研制高温、高功率、高速短波长光电子器件和新型微电子器件的重要材料，并已取得重大进展。但由于GaN 外延层与蓝宝石衬底之间的晶格常数和热膨胀系数失配，致使在GaN 单晶薄膜异质外延中，产生大量的结构缺陷。特别是在分子束外延(MBE)中，产生的线位错密度高达108～1010cm-2，引发多种表面结构缺陷[1，2]。GaN 单晶薄膜中的线位错缺陷形成的散射中心影响发光器件的性能;螺旋型线位错在其中心可形成纳米尺度的管道，这些纳米级的空洞对……
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