我们的 P-系列和 A-系列的 LED 特色，为 Lambertian 的发射和反射分别在器件的上方和下层。发射器释放出来的光绝大部分都往正前方前进，仅仅有非常少部分的的光线会返回到器件里面，这些有可能被量子所吸收。同时，反射器会经由特定角度，将绝大部分的光源导向基板返回器件，以避免芯片内部的多重反射发生。

　　我们制作我们的 P-系列芯片是通过 GaP 表面的 Lambertian 反射器所创造出来的，此乃 AlGaInP 在 GaAs 取向附生层的最上层（图二a）。在 GaAs 被移除之前，此晶圆先与硅结合。接着我们刻蚀掉 n-type 电镀层而形成 Lambertian 反射器，并明确界定黄金 p-type 与硅基板的背面互相接触。晶圆的问题如下，在器件被结合之前，晶圆会先切成独立的芯片。

　　A-系列的 LED 拥有些许不同的设计（图二b），为了将晶圆与蓝宝石相结合，使用穿透率高的黏着薄膜用来作为结合剂，除此之外，制造程序与 P-系列类似。

图二：（上）P-系列 (a) 和 A-系列 (b) 的 LED 特色为
拥有 Lambertian 的穿透和反射面。

　　我们的 A-系列芯片会在 615~620nm 被激发，且仅需 2V 的正向电压（请情请参照表一）。在 20 mA 的电流下，620 nm 会释放出 107 lm/W，而 615 nm 在相同的电流条件下，同样能产生出 130 lm/W（请参见图三，其它器件的电流作比较）。这个产品的最大正向电流等级为 40 mA，本器件的确有足够的能力作为背光源、建筑光源、娱乐和装饰用的光源。

图三，其它器件的电流作比较

　　P-系列芯片与他们的A-系列尺寸相同，但却是操作于高电流范围，这一切都要感谢硅基板优异的热传导系数，当电流为 250 mA 时，他们可以产生 25 lm（图四），但我们建议驱动电流应维持在 70 mA，这种 LED 同样能适用于我们的A-系列芯片，但是我们仍然将它定位于交通号志、广告招牌和路标等应用。

图四

　　我们的这两种产品都拥有非常高的可靠性，经过 1000 小时的长时间测试，P-系列的芯片在 80 mA 的输出电流，85 ºC 和 85% 的湿度环境下，都能维持稳定的光源输出；而 A–系列芯片在相同环境条件下，提供 40mA的电流，也都能维持稳定的光源输出。

　　我们相信我们的红光 LED 在 20 mA下，能够创造出前所未有的发光效率，我们的顾客也说，它能提升30–50% 以上，超越市场上所有的其它产品。今年我们将会在我们自己的生产在线生产制造这些器件，同时我们也很有信心该产品将会大大提升红光LED的发展。