LED产生的90%热量都是向下走，因此封装技术中，散热十分重要。整体而言，可供选择的高功率LED次安装基台(sub-mount)材料有陶瓷(氧化铝、氮化铝)和硅。其中，铝基板有翘曲问题，且以导热系数和热扩散来看，硅是最佳选择。

　　硅基LED封装工艺流程为：绝缘及金属层、芯片/金属线键结及荧光材料涂布、透镜组装，再进行切割与测试。使用硅晶圆方法可以藉以控制穿孔型式(单一或多重)，因而增加光萃取率，这是陶瓷基板所做不到的。李豫华并特别指出采钰独家的IC制造兼容晶圆级荧光粉涂布技术，可以在LED芯片最上层造就薄而高效能的荧光粉出光层，可改善黄晕现象，且此技术可控制色温的一致性。

　　另外，半球形镜头为以光学设计方式增加出光率的方法之一，也是采钰独家设计的晶圆级产品，镜头设计符合各种出光形式的需求。此外，利用不同材料的折射率不同，由内而外愈来愈小，亦可控制出光路径使其出光率增加，此结构模式可改善出光率逾7%。再者，藉由荧光粉补偿过程可以达到紧密的色温控制，因而良率可获得提升，使原本低于 70%的良率，经由补偿可以提升超过95%。目前采钰的LED硅基封装成品已经在多处导入，包括大陆秦皇岛、大陆京沈高速公路匝道的LED路灯及新竹清华大学校园等。

　　不过，LED硅基封装仍有许多技术上面临的挑战需要克服，例如材料方面，硅材有容易碎裂的缺点，且机构强度也是问题所在。荧光粉则需考虑其电子亮度和热及湿阻抗。另外，镜头的折射率及热稳定度、粘着性等都是考虑点。结构方面，绝缘层、金属层都有其挑战。

　　采钰专攻LED照明，目前并没有跨入LED大尺寸背光源的计划。在2012年台湾、日本、美国、加拿大将开始禁用白炽灯泡的政策下，采钰认为，2011年第3季LED暖白色球泡灯销售量将爆发性成长，公司也将球泡灯产品列入今年的发展重点。

　　覆晶型LED芯片封装

　　除了上述垂直式芯片外，覆晶型芯片也是业界极力发展的目标。覆晶型芯片的制作较立体型简单许多，且可避掉复杂工艺，使得量产可行性大幅提升，加上后端芯片工艺金手指和过孔技术成熟辅助，以往必须种植多颗金球的固晶方式转变为大面积P、N电极直接黏着支架，搭配上eutectic固晶方式，更大大的简化了覆晶型芯片封装的技术门坎，再者，缩短的封装散热路径，相较于水平式芯片有较佳的散热能力，驱动电压也可下降，林治民强调，在未来节能减碳的驱动下，覆晶型芯片封装会是很好的解决方案。

　　基于上述封装的考虑，亿光目前采用的主要封装技术为荧光粉涂布以及转注工艺。荧光涂布是亿光发展的技术，主要是在芯片上覆盖一层薄薄的荧光层，如此可大幅提升组件的发光效率，目前亿光已将此产品运用在高功率件上。