蓝光LED衬底材料比较主要在两个方面：

　　Ⅰ、LED用蓝宝石(Al2O3)衬底

　　目前由于GaN衬底供应紧缺(主要是技术难度高)且价格昂贵，GaN基LED的大批量商业化生产主要采用蓝宝石衬底和碳化硅衬底，而后者因为成本因素和专利垄断，业界最普遍采用的是蓝宝石衬底。蓝宝石衬底仍有如下缺点：

　　1)由于GaN和蓝宝石之间有较大的晶格失配和热应力失配，由此造成10E9cm-2的失配位错，严重影响晶体质量，降低LED的发光效率;

　　2)蓝宝石是绝缘体，常温下电阻率大于10E11Ωcm，这样就无法制作垂直结构的器件，只能在外延层上表面制作N型和P型电极(平面结构LED芯片)，从而使有效发光面积减小，同时增加了器件制备中的光刻和刻蚀工艺过程，使材料的利用率大大降低;

　　3)蓝宝石的导热性能不好，在 1000℃热导率约为0.25 W/cm.K，这对于GaN基器件的性能影响很大，特别是在大面积大功率器件中，散热问题非常突出。

　　Ⅱ、图形化蓝宝石衬底(PSS)

　　图形衬底技术通过在蓝宝石衬底表面制作具有细微结构的图形，然后在这种图形化的衬底表面进行LED材料外延，图形化的界面改变了GaN材料的生长过程。表面的图形为GaN生长提供了多种生长晶向的选择，而GaN沿图形表面生长速率不同，从而达到了使晶格失配位错在衬底生长区发生弯曲并合拢，有效的抑制缺陷向外延表面的延伸，提高器件内量子效率。PSS衬底技术以其简单的工艺、相对低廉的成本、可以显著改善LED器件的性能，成为现阶段各大LED生产研发企业开发高亮度大功率LED器件的首选衬底材料。