AIXTRON新一代MOCVD反应炉已达生产力目标
摘要： 德国MOCVD(LED外延生长设备)大厂AIXTRON AG在2月22日发布新闻稿指出，新一代MOCVD Platform AIX G5 HT系统已达成生产力目标：在600毫巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(InGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况下，上述晶膜的生成在台湾晶电厂区连续进行。
德国MOCVD(LED外延生长设备)大厂AIXTRON AG在2月22日发布新闻稿指出，新一代MOCVD Platform AIX G5 HT系统已达成生产力目标：在600毫巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(InGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况下，上述晶膜的生成在台湾晶电厂区连续进行。目前此MOCVD反应炉正要转换至量产阶段。AIXTRON 22日终场逆势上涨2.02%，收23.48欧元；在NASDAQ挂牌的ADS涨2.6%，收31.94美元。
美联社2月初曾报导，Merriman Curhan Ford分析师Bill Ong 4日表示，MOCVD设备订单异常强劲恐将导致产业在短期内面临产能过剩的窘境，这将进一步迫使LED价格走低。
由于LED照明市场商机逐渐浮现，相关类股表现也随之引人侧目。AIXTRON AG在德国挂牌股票的2009年度涨幅高达393.70%。根据科技市调机构iSuppli 09年12月14日发表的报告显示，预期2009年全球LED销售额可望年增10.9%至74亿美元，并于2013年进一步攀升至143亿美元。（编辑:FJ）
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